Numéro de produit du fabricant:
TSM2N7000KCT A3G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM2N7000KCT A3G-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Description détaillée:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventaire:
12892493
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SOUMETTRE
TSM2N7000KCT A3G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
60 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
400mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
TSM2N7000
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
TSM2N7000KCT A3GTB-DG
TSM2N7000KCT A3GCT-DG
TSM2N7000KCT A3GTB
TSM2N7000KCT A3GCT
TSM2N7000KCTA3GCT
TSM2N7000KCTA3GTB
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7000TA
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7000TA-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.08
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